买卖IC网 >> 产品目录 >> BULD1101ET4 两极晶体管 - BJT Hi Vltg Fast Swtchng NPN Pwr Transistor datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

BULD1101ET4

库存数量：可订货
制造商：STMicroelectronics
描述：两极晶体管 - BJT Hi Vltg Fast Swtchng NPN Pwr Transistor
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 两极晶体管 - BJT
描述 两极晶体管 - BJT Hi Vltg Fast Swtchng NPN Pwr Transistor
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制造商 STMicroelectronics
配置
晶体管极性 NPN
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO 450 V
发射极 - 基极电压 VEBO 12 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流 3 A
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min 20
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 DPAK
相关资料
属性
链接
代理商 BULD1101ET4
BULD118D-1
BULD128DT4
BULD39D-1
BULD3N7T4
BULD3P5T4
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  • BULD1101ET4 参考价格
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